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硬件开发者之路之——半导体元器件之三极管和MOS管总结

上一篇 / 下一篇  2017-08-12 14:36:39 / 个人分类:技术生涯

三极管和MOS管有很多相似之处,但是又有极大的不同。在此做个小的梳理和总结。
    1、三极管属于电流驱动型,MOS管属于电压驱动型。
    2、三极管功耗大,MOS管功耗低,所以现在MOS管在大规模集成电路里已经成为主流。
    3、一般而言三极管的速度因为是电流驱动而更快,但是现在的MOS工艺进步很快,也不好泛泛而言来比较。
    4、MOS管更便于大规模集成制造,因此现在成为主流。
    5、MOS管的导通电阻更小,几十毫欧的级别,因此MOS管的损耗比三极管更小,更适合在大功率场合使用。
    6、分立器件而言,MOS管比三极管成本更高。
    7、MOS管的输入阻抗更高。
    8、依靠多数载流子导电,噪声特性、稳定性比三极管好。
    9、MOS管的输入栅极比较容易受静电影响,需要做好ESD保护。
   10、MOS管中寄生的二极管在驱动感性负载时很有用,保护器件。
   11、三极管的电流和电压是指数关系,MOS管是平方关系,因此,MOS管的非线性失真比较大。
   12、三极管的耐压值能做到更高。
    13、MOS管可以工作在极低电压和电流下,因此特别适合超大规模集成电路设计。

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